창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS7692 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS7692 | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS7692TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS7692 | |
관련 링크 | FDMS, FDMS7692 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MR041E224MAA | 0.22µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR041E224MAA.pdf | |
![]() | ALD110908ASAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | ALD110908ASAL.pdf | |
![]() | 800B621JT100X | 800B621JT100X ATC SMD or Through Hole | 800B621JT100X.pdf | |
![]() | 1N5816 | 1N5816 MSC DO-4 | 1N5816.pdf | |
![]() | P626GB | P626GB TOSHIBA DIPSMD-4 | P626GB.pdf | |
![]() | M116Q115 | M116Q115 ATMEL QFN | M116Q115.pdf | |
![]() | SVC353S-TR | SVC353S-TR SANYO SMD or Through Hole | SVC353S-TR.pdf | |
![]() | AD7759ARS | AD7759ARS AD SMD | AD7759ARS.pdf | |
![]() | LTC2298CUP(IUP) | LTC2298CUP(IUP) LT QFN64 | LTC2298CUP(IUP).pdf | |
![]() | RD412DTTE102G | RD412DTTE102G KSE SMD or Through Hole | RD412DTTE102G.pdf | |
![]() | 28F0530-2SR | 28F0530-2SR ORIGINAL SMD or Through Hole | 28F0530-2SR.pdf | |
![]() | QS74FCT153CTQX | QS74FCT153CTQX QSEMI SMD or Through Hole | QS74FCT153CTQX.pdf |