창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS7678 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS7678 | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.5A(Ta), 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 17.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2410pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS7678-ND FDMS7678TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS7678 | |
| 관련 링크 | FDMS, FDMS7678 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VS-GB400TH120U | IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK | VS-GB400TH120U.pdf | |
![]() | AF0402FR-073K57L | RES SMD 3.57K OHM 1% 1/16W 0402 | AF0402FR-073K57L.pdf | |
![]() | MBB02070C1504FC100 | RES 1.5M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1504FC100.pdf | |
![]() | 14.3E3DF | 14.3E3DF N/A SMD or Through Hole | 14.3E3DF.pdf | |
![]() | NCV33074ADTB2G | NCV33074ADTB2G ON TSSOP14 | NCV33074ADTB2G.pdf | |
![]() | TPS53125PWPRG4 | TPS53125PWPRG4 TI/BB TSSOP24 | TPS53125PWPRG4.pdf | |
![]() | ATMELU02B | ATMELU02B ATMEL DIP | ATMELU02B .pdf | |
![]() | 3KE150A | 3KE150A EIC DO-201 | 3KE150A.pdf | |
![]() | IRCSS095 | IRCSS095 IRC sop8 | IRCSS095.pdf | |
![]() | 68uf25V10%E | 68uf25V10%E avetron SMD or Through Hole | 68uf25V10%E.pdf | |
![]() | HV7131GP-F | HV7131GP-F HYNIX SMD or Through Hole | HV7131GP-F.pdf | |
![]() | 24LC02BI/P2QP | 24LC02BI/P2QP MICROCHIP 8 DIP | 24LC02BI/P2QP.pdf |