창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS7672 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS7672 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
PCN 설계/사양 | Materials 14/Apr/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2960pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS7672TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS7672 | |
관련 링크 | FDMS, FDMS7672 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | PMEG45A10EPDZ | DIODE SCHOTTKY 45V 10A CFP15 | PMEG45A10EPDZ.pdf | |
![]() | AT25128N-10SI2.7 | AT25128N-10SI2.7 ATMEL SOP8 | AT25128N-10SI2.7.pdf | |
![]() | MOM3248C-01 | MOM3248C-01 PLESSEY LCC | MOM3248C-01.pdf | |
![]() | EDD10321BBH-6ETS-F | EDD10321BBH-6ETS-F ELPIDA BGA | EDD10321BBH-6ETS-F.pdf | |
![]() | KDT3312AL | KDT3312AL KODENSHI ROHS | KDT3312AL.pdf | |
![]() | HH4-3154-03 | HH4-3154-03 CANON DIP-32 | HH4-3154-03.pdf | |
![]() | MBR140SFT1G L4FX | MBR140SFT1G L4FX GC SOD-123 | MBR140SFT1G L4FX.pdf | |
![]() | MAX8515EXK+T | MAX8515EXK+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX8515EXK+T.pdf | |
![]() | 2DH112A/B/C | 2DH112A/B/C CHINA TO-18 | 2DH112A/B/C.pdf | |
![]() | DTSM-32R-V-B | DTSM-32R-V-B DIPTRONICS SMD or Through Hole | DTSM-32R-V-B.pdf | |
![]() | L1117S | L1117S NIKO SOT-263 | L1117S.pdf |