창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS7670AS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS7670AS | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4225pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS7670AS-ND FDMS7670ASFSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS7670AS | |
관련 링크 | FDMS76, FDMS7670AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 1330-36F | 4.7µH Unshielded Inductor 239mA 1.2 Ohm Max 2-SMD | 1330-36F.pdf | |
![]() | S0603-39NJ3C | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-39NJ3C.pdf | |
![]() | G2R-24-AC12V | G2R-24-AC12V OMRON SMD or Through Hole | G2R-24-AC12V.pdf | |
![]() | PIC16C65B | PIC16C65B MICROCHIP DIP40 QFP44 PLCC44 S | PIC16C65B.pdf | |
![]() | CBW201209U102T | CBW201209U102T Fenghua SMD | CBW201209U102T.pdf | |
![]() | 12CHIM | 12CHIM NECElec SMD or Through Hole | 12CHIM.pdf | |
![]() | SRL3040 | SRL3040 TSC TO-3P | SRL3040.pdf | |
![]() | EVAL-AD1937AZ | EVAL-AD1937AZ AD S N | EVAL-AD1937AZ.pdf | |
![]() | FS7KM_12A | FS7KM_12A MAT TO 220 | FS7KM_12A.pdf | |
![]() | SC1H227M10010VR180 | SC1H227M10010VR180 SAMWHA SMD or Through Hole | SC1H227M10010VR180.pdf | |
![]() | RN1V476M10016 | RN1V476M10016 SAMWH DIP | RN1V476M10016.pdf |