창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS7620S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS7620S | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 설계/사양 | Design Change 03/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.1A, 12.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 10.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 608pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS7620S-ND FDMS7620STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS7620S | |
| 관련 링크 | FDMS7, FDMS7620S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | HY27US08281A-TCBO | HY27US08281A-TCBO HYINX TSOP | HY27US08281A-TCBO.pdf | |
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![]() | SG615P2M4576C | SG615P2M4576C epson SMD or Through Hole | SG615P2M4576C.pdf | |
![]() | 19-219/T3D-AQ2R2TY | 19-219/T3D-AQ2R2TY EVERLIGHT SMD | 19-219/T3D-AQ2R2TY.pdf | |
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![]() | AT29LV040-70JC | AT29LV040-70JC ORIGINAL SMD or Through Hole | AT29LV040-70JC.pdf | |
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