창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS7600AS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS7600AS | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A, 22A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS7600ASTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS7600AS | |
관련 링크 | FDMS76, FDMS7600AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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AV-55.46667MAHC-T | 55.46667MHz ±30ppm 수정 9pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AV-55.46667MAHC-T.pdf | ||
![]() | 1N5380BE3/TR12 | DIODE ZENER 120V 5W T18 | 1N5380BE3/TR12.pdf | |
![]() | RG3216N-4700-D-T5 | RES SMD 470 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-4700-D-T5.pdf | |
![]() | SDC3733 | SDC3733 SDC DIP8 | SDC3733.pdf | |
![]() | UDZSTE17 3.3B | UDZSTE17 3.3B ROHM SMD or Through Hole | UDZSTE17 3.3B.pdf | |
![]() | MV64464-NBAY1 | MV64464-NBAY1 MARVELL BGA-854D | MV64464-NBAY1.pdf | |
![]() | MP821-4.00-1% | MP821-4.00-1% ORIGINAL SMD or Through Hole | MP821-4.00-1%.pdf | |
![]() | 2SA1973-TL | 2SA1973-TL SANYO SOT-23 | 2SA1973-TL.pdf | |
![]() | HTM3226LF | HTM3226LF HUM SMD or Through Hole | HTM3226LF.pdf | |
![]() | 1N1126 | 1N1126 Microsemi SMD or Through Hole | 1N1126.pdf |