창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS6681Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS6681Z | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 설계/사양 | Materials 14/Apr/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21.1A(Ta), 49A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 22.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 241nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10380pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS6681ZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS6681Z | |
| 관련 링크 | FDMS6, FDMS6681Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MCR10EZHF3572 | RES SMD 35.7K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF3572.pdf | |
![]() | GSRH105R-220M | GSRH105R-220M ORIGINAL 10.310.45 | GSRH105R-220M.pdf | |
![]() | TCH10S | TCH10S TC SOP20L | TCH10S.pdf | |
![]() | VFB-6MU | VFB-6MU fujitsu SMD or Through Hole | VFB-6MU.pdf | |
![]() | HER3005G | HER3005G GOOD-ARK DO-201AD | HER3005G.pdf | |
![]() | M39003-01-2308J | M39003-01-2308J N/A SMD or Through Hole | M39003-01-2308J.pdf | |
![]() | PMBTH81(V31*) | PMBTH81(V31*) PHILIPS SOFT23 | PMBTH81(V31*).pdf | |
![]() | SI7328DN-T1 | SI7328DN-T1 VISHAY SMD or Through Hole | SI7328DN-T1.pdf | |
![]() | MC65847FP | MC65847FP MIT SOP | MC65847FP.pdf | |
![]() | ILI9486L | ILI9486L ORIGINAL SMD or Through Hole | ILI9486L.pdf |