창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS6673BZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS6673BZ | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 설계/사양 | Materials 14/Apr/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.2A(Ta), 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 15.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5915pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS6673BZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS6673BZ | |
관련 링크 | FDMS66, FDMS6673BZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
YC248-FR-0760R4L | RES ARRAY 8 RES 60.4 OHM 1606 | YC248-FR-0760R4L.pdf | ||
Y145334R0000B9L | RES 34 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y145334R0000B9L.pdf | ||
08FLZ-SM1-TB | 08FLZ-SM1-TB JST 8P | 08FLZ-SM1-TB.pdf | ||
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AE101MD1AB | AE101MD1AB ORIGINAL ORIGINAL | AE101MD1AB.pdf | ||
IS62WV25616ALL-55TI | IS62WV25616ALL-55TI ISSI TSOP | IS62WV25616ALL-55TI.pdf |