창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS3660S_F121 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS3660S | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A, 30A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1765pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | FDMS3660S_F121CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS3660S_F121 | |
관련 링크 | FDMS3660, FDMS3660S_F121 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CL31B684KBHWPNE | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31B684KBHWPNE.pdf | ||
T521V156M025AHE040 | 15µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 40 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T521V156M025AHE040.pdf | ||
SIT8208AC-GF-33S-22.000000T | OSC XO 3.3V 22MHZ ST | SIT8208AC-GF-33S-22.000000T.pdf | ||
CRCW0603560KJNEA | RES SMD 560K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW0603560KJNEA.pdf | ||
CMF5513K000FEEB | RES 13K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5513K000FEEB.pdf | ||
CP0020R5600KE66 | RES 0.56 OHM 20W 10% AXIAL | CP0020R5600KE66.pdf | ||
M34302 | M34302 MIT DIP | M34302.pdf | ||
AM26C32MJB/5962-9164001QEA | AM26C32MJB/5962-9164001QEA TI CDIP-16 | AM26C32MJB/5962-9164001QEA.pdf | ||
LDA15-24S3V3 | LDA15-24S3V3 SUPLET DIP6 | LDA15-24S3V3.pdf | ||
VC14A | VC14A TI SSOP | VC14A.pdf | ||
IRSI4015 K | IRSI4015 K IR SMD or Through Hole | IRSI4015 K.pdf | ||
ADA4922-1ACPZ-RL | ADA4922-1ACPZ-RL ADI LFCSP-8 | ADA4922-1ACPZ-RL.pdf |