Fairchild Semiconductor FDMS3660S_F121
- 제조업체 부품 번호
- FDMS3660S_F121
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
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FDMS3660S_F121 가격 및 조달
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8550 조각
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FDMS3660S_F121 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS3660S_F121 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS3660S | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A, 30A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1765pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | FDMS3660S_F121CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS3660S_F121 | |
| 관련 링크 | FDMS3660, FDMS3660S_F121 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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