창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS3602AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS3602AS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A, 26A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 2.2W, 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS3602ASTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS3602AS | |
| 관련 링크 | FDMS36, FDMS3602AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | C3216JB1E475M115AB | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 JB 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216JB1E475M115AB.pdf | |
| 333MSR630K | 0.03µF Film Capacitor 220V 630V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.256" W (18.50mm x 6.50mm) | 333MSR630K.pdf | ||
![]() | HF1008R-121K | 120nH Unshielded Inductor 405mA 910 mOhm Max Nonstandard | HF1008R-121K.pdf | |
![]() | MSA-2543-TR1 | MSA-2543-TR1 Agilent SOT234 | MSA-2543-TR1.pdf | |
![]() | PT72898 | PT72898 PT DIP | PT72898.pdf | |
![]() | WM8251H9GED | WM8251H9GED WM SOP-14 | WM8251H9GED.pdf | |
![]() | M48T18-100PC | M48T18-100PC ST SMD or Through Hole | M48T18-100PC.pdf | |
![]() | T268 | T268 EUPEC SMD or Through Hole | T268.pdf | |
![]() | IDT74ALVC1G02DY | IDT74ALVC1G02DY IDT SMD or Through Hole | IDT74ALVC1G02DY.pdf | |
![]() | EMK105BJ104MV-T | EMK105BJ104MV-T TAIYO SMD | EMK105BJ104MV-T.pdf | |
![]() | CV-610SW | CV-610SW KSS SMD or Through Hole | CV-610SW.pdf |