창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS3572 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS3572 | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| 카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UltraFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Ta), 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 8.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2490pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-MLP, 전력56 | |
| 공급 장치 패키지 | Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS3572TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS3572 | |
| 관련 링크 | FDMS, FDMS3572 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 1N4765A | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 | 1N4765A.pdf | |
![]() | HD6050GHT | RELAY SSR 660VAC/50A DC | HD6050GHT.pdf | |
![]() | SM6227FTR845 | RES SMD 0.845 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FTR845.pdf | |
![]() | HHV1WSJT-73-22M | RES 22M OHM 1W 5% AXIAL | HHV1WSJT-73-22M.pdf | |
![]() | AMS22U5A1BHARL330 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22U5A1BHARL330.pdf | |
![]() | 302-HDS/02 | 302-HDS/02 WECO SMD or Through Hole | 302-HDS/02.pdf | |
![]() | A7932SLBTR | A7932SLBTR ALLEGRO SOP 16 | A7932SLBTR.pdf | |
![]() | C4FX02101(74HC595) | C4FX02101(74HC595) N/A SMD or Through Hole | C4FX02101(74HC595).pdf | |
![]() | NX5032GA-12.288000MHZ | NX5032GA-12.288000MHZ NDK SMD or Through Hole | NX5032GA-12.288000MHZ.pdf | |
![]() | HBH2X3MC4R811F | HBH2X3MC4R811F ORIGINAL QFN | HBH2X3MC4R811F.pdf |