창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS3500 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS3500 | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 설계/사양 | Materials 14/Apr/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Ta), 49A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 11.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4765pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS3500TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS3500 | |
| 관련 링크 | FDMS, FDMS3500 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-13-33S-7.50000E | OSC XO 3.3V 7.5MHZ ST | SIT8008BI-13-33S-7.50000E.pdf | |
![]() | MLX90316KDC-BDG-100-SP | IC SENSOR ROTARY SPI 8SOIC | MLX90316KDC-BDG-100-SP.pdf | |
![]() | NR-6012T680M-K | NR-6012T680M-K KEMET SMD or Through Hole | NR-6012T680M-K.pdf | |
![]() | PHP13N40E | PHP13N40E ORIGINAL TO-220 | PHP13N40E.pdf | |
![]() | DF3-2EP-2C | DF3-2EP-2C HIROSEELECTRICUKLTD SMD or Through Hole | DF3-2EP-2C.pdf | |
![]() | ADP170AUJZ-1.5-R7 TEL:82766440 | ADP170AUJZ-1.5-R7 TEL:82766440 AD SMD or Through Hole | ADP170AUJZ-1.5-R7 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 5100SD | 5100SD NS QFN | 5100SD.pdf | |
![]() | VNP35N07FI | VNP35N07FI ST/ SMD or Through Hole | VNP35N07FI.pdf | |
![]() | TMS320VC33PGE1 | TMS320VC33PGE1 TI SMD or Through Hole | TMS320VC33PGE1.pdf | |
![]() | 465001.DR | 465001.DR ORIGINAL SMD | 465001.DR.pdf | |
![]() | R5F21124FP UOOG | R5F21124FP UOOG RENRSAS LQFP32 | R5F21124FP UOOG.pdf |