Fairchild Semiconductor FDMS039N08B

FDMS039N08B
제조업체 부품 번호
FDMS039N08B
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
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내부 부품 번호EIS-FDMS039N08B
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDMS039N08B
주요제품Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
PCN 조립/원산지Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C19.4A(Ta), 100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.9m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs100nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7600pF @ 40V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-PQFN(5x6), Power56
표준 포장 3,000
다른 이름FDMS039N08BTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDMS039N08B
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