창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS037N08B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS037N08B | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5915pF @ 37.5V | |
| 전력 - 최대 | 104.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS037N08BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS037N08B | |
| 관련 링크 | FDMS03, FDMS037N08B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A272JBBAT4X | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A272JBBAT4X.pdf | |
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![]() | LBS12575-4R7NT | LBS12575-4R7NT FH SMD or Through Hole | LBS12575-4R7NT.pdf | |
![]() | LTC2610CUFD#PBF | LTC2610CUFD#PBF LTC QFN-20P | LTC2610CUFD#PBF.pdf | |
![]() | 71AD36-02-1-AJN | 71AD36-02-1-AJN Grayhill SMD or Through Hole | 71AD36-02-1-AJN.pdf | |
![]() | 1N4745A(16V) | 1N4745A(16V) EIC DO-41 | 1N4745A(16V).pdf | |
![]() | TDA15481HV/N1B00/N1C00 | TDA15481HV/N1B00/N1C00 NXP LQFP | TDA15481HV/N1B00/N1C00.pdf | |
![]() | TLV2252AIPWG4 | TLV2252AIPWG4 TI SMD or Through Hole | TLV2252AIPWG4.pdf | |
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