창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS0312AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS0312AS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1815pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS0312ASTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS0312AS | |
| 관련 링크 | FDMS03, FDMS0312AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CC0603JRX7R8BB473 | 0.047µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRX7R8BB473.pdf | |
![]() | VJ0603D3R9BLCAC | 3.9pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R9BLCAC.pdf | |
![]() | BZX55B56-TAP | DIODE ZENER 56V 500MW DO35 | BZX55B56-TAP.pdf | |
![]() | AT24C08AN SI2.7 | AT24C08AN SI2.7 AT SOP-8 | AT24C08AN SI2.7.pdf | |
![]() | 60P4.0-JMCS-G- | 60P4.0-JMCS-G- ORIGINAL CONNECTO | 60P4.0-JMCS-G-.pdf | |
![]() | PIN-8907 | PIN-8907 UDT SMD or Through Hole | PIN-8907.pdf | |
![]() | 4914BC | 4914BC SIL SOP | 4914BC.pdf | |
![]() | AAT4290IJS-T1 | AAT4290IJS-T1 AATI TSOPJW-8 | AAT4290IJS-T1.pdf | |
![]() | SN74ABT16245DGGR (TSOP48) | SN74ABT16245DGGR (TSOP48) TI SMD or Through Hole | SN74ABT16245DGGR (TSOP48).pdf | |
![]() | 1N532 | 1N532 ORIGINAL DIP | 1N532.pdf | |
![]() | SG217ATVK | SG217ATVK SG SMD or Through Hole | SG217ATVK.pdf |