창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS0310S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS0310S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2820pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS0310STR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS0310S | |
관련 링크 | FDMS0, FDMS0310S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MAGX-002731-180L00 | FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ | MAGX-002731-180L00.pdf | |
![]() | 7202-12-1100 | Reed Relay DPST (2 Form A) Through Hole | 7202-12-1100.pdf | |
![]() | TNPW1206365KBETA | RES SMD 365K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206365KBETA.pdf | |
![]() | ST280C | ST280C ST SMD or Through Hole | ST280C.pdf | |
![]() | HZM11NB3 | HZM11NB3 HITACHI SMD or Through Hole | HZM11NB3.pdf | |
![]() | SC02RH007EY03 | SC02RH007EY03 MOT QFP160 | SC02RH007EY03.pdf | |
![]() | SG615P20000000MHZ | SG615P20000000MHZ SEIKOEPSON NA | SG615P20000000MHZ.pdf | |
![]() | SI7388DPT1E3 | SI7388DPT1E3 VIS SMT | SI7388DPT1E3.pdf | |
![]() | IRFP350-CHINA | IRFP350-CHINA IR TO-247 | IRFP350-CHINA.pdf | |
![]() | PSOT24LC-T13 | PSOT24LC-T13 PROTEK SOT-23 | PSOT24LC-T13.pdf | |
![]() | S8232AEFT-T2-G | S8232AEFT-T2-G SII/Seiko/ TSSOP-8 | S8232AEFT-T2-G.pdf |