창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS030N06B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS030N06B | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22.1A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7560pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS030N06B-ND FDMS030N06BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS030N06B | |
| 관련 링크 | FDMS03, FDMS030N06B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 12062A102FAT2A | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12062A102FAT2A.pdf | |
![]() | W2L1YC224MAT1A | 0.22µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.080" W(1.27mm x 2.03mm) | W2L1YC224MAT1A.pdf | |
![]() | CRCW0805759KFKTA | RES SMD 759K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805759KFKTA.pdf | |
![]() | UA230945 | UA230945 ICS SMD | UA230945.pdf | |
![]() | 2110G | 2110G INFINEON SOP8 | 2110G.pdf | |
![]() | 10UF 250V | 10UF 250V JWCO() SMD or Through Hole | 10UF 250V.pdf | |
![]() | LFSTBPROTO-ND | LFSTBPROTO-ND Freescale SMD or Through Hole | LFSTBPROTO-ND.pdf | |
![]() | 61SS64326TQT9057ATLB5 | 61SS64326TQT9057ATLB5 ISSI SMD or Through Hole | 61SS64326TQT9057ATLB5.pdf | |
![]() | STK475-010E | STK475-010E SANYO HYB | STK475-010E.pdf | |
![]() | GP2L09B DIP-4 | GP2L09B DIP-4 SHARP SMD or Through Hole | GP2L09B DIP-4.pdf |