Fairchild Semiconductor FDME410NZT

FDME410NZT
제조업체 부품 번호
FDME410NZT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
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내부 부품 번호EIS-FDME410NZT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDME410NZT
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs26m옴 @ 7A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1025pF @ 10V
전력 - 최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-PowerUFDFN
공급 장치 패키지MicroFet 1.6x1.6
표준 포장 5,000
다른 이름FDME410NZTTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDME410NZT
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