창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD86100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD86100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2N 채널(이중) 공통 소스 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2060pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-Power 5x6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD86100TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD86100 | |
| 관련 링크 | FDMD8, FDMD86100 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GJM0335C0J330GB01D | 33pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C0J330GB01D.pdf | |
![]() | RG1005P-4420-W-T5 | RES SMD 442 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005P-4420-W-T5.pdf | |
![]() | HU2V107M25025 | HU2V107M25025 SAMWHA SMD or Through Hole | HU2V107M25025.pdf | |
![]() | KPC817 | KPC817 COSMO DIP-4 | KPC817.pdf | |
![]() | ERJ-3RBD102V | ERJ-3RBD102V panasonic SMD | ERJ-3RBD102V.pdf | |
![]() | LCN0805-R15K-S | LCN0805-R15K-S CHILISIN SMD or Through Hole | LCN0805-R15K-S.pdf | |
![]() | MB8851-550L | MB8851-550L FUJ DIP-42 | MB8851-550L.pdf | |
![]() | 88EC010BBP | 88EC010BBP MARVELL SMD or Through Hole | 88EC010BBP.pdf | |
![]() | QM400HA(500HA)-H | QM400HA(500HA)-H ORIGINAL SMD or Through Hole | QM400HA(500HA)-H.pdf | |
![]() | 35ME220WXS | 35ME220WXS SANYO DIP | 35ME220WXS.pdf | |
![]() | ESD05 | ESD05 SECOS SOD523 | ESD05.pdf |