창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMD8540L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMD8540L | |
애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics PowerTrench MOSFET Datasheet Expanation Power MOSFET Avalanche Guideline | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FDMD8540L Material Declaration FDMD8540L Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A, 156A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 113nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7940pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-Power 5x6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMD8540LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMD8540L | |
관련 링크 | FDMD8, FDMD8540L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SR0805MR-7W3K9L | RES SMD 3.9K OHM 20% 1/4W 0805 | SR0805MR-7W3K9L.pdf | ||
CRCW08051R24FNEB | RES SMD 1.24 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051R24FNEB.pdf | ||
MS4800S-30-0400-X | TRANSMITTER SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-30-0400-X.pdf | ||
MS46LR-30-1920-Q1-10X-10R-NC-A | SYSTEM | MS46LR-30-1920-Q1-10X-10R-NC-A.pdf | ||
ICD15S13E6GX00 | ICD15S13E6GX00 FCI 100 box | ICD15S13E6GX00.pdf | ||
SB30100CT | SB30100CT PANJIT 30A100VTO-220AB | SB30100CT.pdf | ||
D421001 | D421001 NEC DIP | D421001.pdf | ||
R5F363AMDFB | R5F363AMDFB RENESAS LQFP | R5F363AMDFB.pdf | ||
TNETA1585PGFP | TNETA1585PGFP TMS SMD or Through Hole | TNETA1585PGFP.pdf | ||
MM1506XNRE/P6BI | MM1506XNRE/P6BI ORIGINAL SOT-163 | MM1506XNRE/P6BI.pdf | ||
EVN5ESX50BQ4 3X3 47K | EVN5ESX50BQ4 3X3 47K PAN SMD or Through Hole | EVN5ESX50BQ4 3X3 47K.pdf | ||
670L1#PBF | 670L1#PBF LT SOT23-6P | 670L1#PBF.pdf |