창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD8540L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD8540L | |
| 애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics PowerTrench MOSFET Datasheet Expanation Power MOSFET Avalanche Guideline | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FDMD8540L Material Declaration FDMD8540L Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A, 156A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 113nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7940pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-Power 5x6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD8540LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD8540L | |
| 관련 링크 | FDMD8, FDMD8540L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 56.00MHZ | 56.00MHZ TOYOCOM SMD or Through Hole | 56.00MHZ.pdf | |
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![]() | UCC28C41DR | UCC28C41DR TI SMD or Through Hole | UCC28C41DR.pdf | |
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