창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD85100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD85100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.9m옴 @ 10.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2230pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-Power 5x6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD85100TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD85100 | |
| 관련 링크 | FDMD8, FDMD85100 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMAJ18AHE3/5A | TVS DIODE 18VWM 29.2VC SMA | SMAJ18AHE3/5A.pdf | |
![]() | SMBG30CA-E3/52 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMB | SMBG30CA-E3/52.pdf | |
![]() | ECS-120-18-7SX-TR | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-120-18-7SX-TR.pdf | |
![]() | SIT1602ACF8-28E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACF8-28E.pdf | |
![]() | AR0805FR-0714K7L | RES SMD 14.7K OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-0714K7L.pdf | |
![]() | Y11694K82800T9R | RES SMD 4.828K OHM 0.6W 3017 | Y11694K82800T9R.pdf | |
![]() | MMBTA92-NF40 | MMBTA92-NF40 FAIRCHILD SMD or Through Hole | MMBTA92-NF40.pdf | |
![]() | JCS2N65 | JCS2N65 ORIGINAL TO-220C | JCS2N65.pdf | |
![]() | PKF4173SI | PKF4173SI ORIGINAL SMD | PKF4173SI.pdf | |
![]() | AN6330 | AN6330 Panasonic DIP | AN6330.pdf | |
![]() | M5146P | M5146P SONY DIP-14 | M5146P.pdf |