창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD8260LET60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD8260LET60 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5245pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 12-PowerWDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 12-Power3.3x5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD8260LET60TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD8260LET60 | |
| 관련 링크 | FDMD826, FDMD8260LET60 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| DEHR32E682KA2B | 6800pF 250V 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.472" Dia(12.00mm) | DEHR32E682KA2B.pdf | ||
![]() | STP20NM60FD | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | STP20NM60FD.pdf | |
![]() | 767163391GPTR13 | RES ARRAY 8 RES 390 OHM 16SOIC | 767163391GPTR13.pdf | |
![]() | RF2337TR7 | RF2337TR7 RFMD SOT23-5 | RF2337TR7.pdf | |
![]() | CS13N50A8H | CS13N50A8H ORIGINAL TO-220 | CS13N50A8H.pdf | |
![]() | BUS63125-636 | BUS63125-636 DDC SMD or Through Hole | BUS63125-636.pdf | |
![]() | UUJ1J331MNSANMS | UUJ1J331MNSANMS NCH SMD or Through Hole | UUJ1J331MNSANMS.pdf | |
![]() | AH373-SNG-7 | AH373-SNG-7 DIODES DFN2020-6 | AH373-SNG-7.pdf | |
![]() | K5D5657DCB-D090 | K5D5657DCB-D090 SAMSUNG SMD or Through Hole | K5D5657DCB-D090.pdf | |
![]() | LP621024D-55LL/70LL | LP621024D-55LL/70LL ELITEMT SMD or Through Hole | LP621024D-55LL/70LL.pdf | |
![]() | UZM11FHT1 | UZM11FHT1 ORIGINAL SOT-23 | UZM11FHT1.pdf |