창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMD8260L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMD8260L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5245pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 12-PowerWDFN | |
공급 장치 패키지 | 12-Power3.3x5 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMD8260LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMD8260L | |
관련 링크 | FDMD8, FDMD8260L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SCMS5D12-8R2 | 8.2µH Shielded Inductor 1.1A 264 mOhm Max Nonstandard | SCMS5D12-8R2.pdf | |
![]() | PR03000202200JAC00 | RES 220 OHM 3W 5% AXIAL | PR03000202200JAC00.pdf | |
![]() | D27210 | D27210 INTEL DIP | D27210.pdf | |
![]() | MX574AK/D | MX574AK/D MAXIM DIP28 | MX574AK/D.pdf | |
![]() | MCT6.S | MCT6.S FAIRCHILD SOP-8 | MCT6.S.pdf | |
![]() | BZW0421323 | BZW0421323 gs SMD or Through Hole | BZW0421323.pdf | |
![]() | AD654JCHIPS | AD654JCHIPS AD SMD or Through Hole | AD654JCHIPS.pdf | |
![]() | U16C20,U16C30,U16C40,U16C50 | U16C20,U16C30,U16C40,U16C50 MOSPEC SMD or Through Hole | U16C20,U16C30,U16C40,U16C50.pdf | |
![]() | LM3673TLX-1.8/NOPB | LM3673TLX-1.8/NOPB ORIGINAL NA | LM3673TLX-1.8/NOPB.pdf | |
![]() | MAX685 | MAX685 MAXIM SMD or Through Hole | MAX685.pdf | |
![]() | CL201209T-R22K-N | CL201209T-R22K-N ORIGINAL SMD or Through Hole | CL201209T-R22K-N.pdf | |
![]() | K7N643645M-EC25000 | K7N643645M-EC25000 SAMSUNG BGA165 | K7N643645M-EC25000.pdf |