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Fairchild Semiconductor FDMD82100L

FDMD82100L
제조업체 부품 번호
FDMD82100L
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
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내부 부품 번호EIS-FDMD82100L
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDMD82100L
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs19.5m옴 @ 7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1585pF @ 50V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스12-PowerWDFN
공급 장치 패키지12-Power3.3x5
표준 포장 3,000
다른 이름FDMD82100LTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDMD82100L
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