창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMD82100L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMD82100L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19.5m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1585pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 12-PowerWDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 12-Power3.3x5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMD82100LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMD82100L | |
| 관련 링크 | FDMD82, FDMD82100L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FGA50S110P | IGBT 1100V 50A 300W TO3PN | FGA50S110P.pdf | |
![]() | RB-2312 | RB-2312 FUJ ZIP12 | RB-2312.pdf | |
![]() | LB1258 | LB1258 SANYO DIP | LB1258.pdf | |
![]() | SIPEX-S | SIPEX-S SIPEX DIP | SIPEX-S.pdf | |
![]() | CFWM455DX4/455KHz/(PIN:2/3) | CFWM455DX4/455KHz/(PIN:2/3) MURATA SMD or Through Hole | CFWM455DX4/455KHz/(PIN:2/3).pdf | |
![]() | YYG4J | YYG4J MICREL QFN | YYG4J.pdf | |
![]() | KT6860KTRP | KT6860KTRP KineteIC SOT23-5 | KT6860KTRP.pdf | |
![]() | MCR004YZPF2204 | MCR004YZPF2204 ROHM SMD | MCR004YZPF2204.pdf | |
![]() | BZT55C14V | BZT55C14V TC SMD or Through Hole | BZT55C14V.pdf | |
![]() | MBR1601G | MBR1601G ORIGINAL TO-220 | MBR1601G.pdf | |
![]() | CSHS-EP7-1S-5P-Z | CSHS-EP7-1S-5P-Z FERROX SMD or Through Hole | CSHS-EP7-1S-5P-Z.pdf |