창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC8878_F126 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMC8878 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.6A(Ta), 16.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 9.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1230pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-MLP(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC8878_F126TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMC8878_F126 | |
관련 링크 | FDMC887, FDMC8878_F126 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | Q4004L352 | TRIAC SENS GATE 400V 4A TO220 | Q4004L352.pdf | |
![]() | P160R-823JS | 82µH Unshielded Inductor 196mA 3.2 Ohm Max Nonstandard | P160R-823JS.pdf | |
![]() | CRGV2512J3M0 | RES SMD 3M OHM 5% 1W 2512 | CRGV2512J3M0.pdf | |
![]() | AVT-52663-TR1G | RF Amplifier IC Cellular, ISM, WLAN 0Hz ~ 6GHz SOT-363, SC70 | AVT-52663-TR1G.pdf | |
![]() | MPC860ENCQ50D4 | MPC860ENCQ50D4 FREESC BGA | MPC860ENCQ50D4.pdf | |
![]() | SI8410-CES | SI8410-CES SILICON SOP8 | SI8410-CES.pdf | |
![]() | MAX3421EEHJ+T | MAX3421EEHJ+T MAX TQFP32 | MAX3421EEHJ+T.pdf | |
![]() | ADP3088ARM-REEL | ADP3088ARM-REEL ANA SMD or Through Hole | ADP3088ARM-REEL.pdf | |
![]() | DS90LV1023 | DS90LV1023 TI SSOP28 | DS90LV1023.pdf | |
![]() | B1215XLS-1W | B1215XLS-1W MICRODC SMD or Through Hole | B1215XLS-1W.pdf | |
![]() | CL21X-B 224 | CL21X-B 224 ORIGINAL SMD or Through Hole | CL21X-B 224.pdf | |
![]() | FT809R | FT809R FANGTEK SOT23-3 | FT809R.pdf |