창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC8651 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMC8651 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.1m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3365pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC8651TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMC8651 | |
관련 링크 | FDMC, FDMC8651 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | EEV-TG1A222M | 2200µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 80 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 125°C | EEV-TG1A222M.pdf | |
![]() | C2012JB1V225M085AB | 2.2µF 35V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1V225M085AB.pdf | |
![]() | PHP00603E88R7BBT1 | RES SMD 88.7 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E88R7BBT1.pdf | |
![]() | CRCW12062R32FNEB | RES SMD 2.32 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12062R32FNEB.pdf | |
![]() | AA3000-150-5X | AA3000-150-5X BARRY SMD or Through Hole | AA3000-150-5X.pdf | |
![]() | 520C312T450DC2B | 520C312T450DC2B CDE DIP | 520C312T450DC2B.pdf | |
![]() | S-4-100 | S-4-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | S-4-100.pdf | |
![]() | MVQ253011IG | MVQ253011IG MITEL BGA | MVQ253011IG.pdf | |
![]() | SIF23844-01 | SIF23844-01 TOSHIBA PGA | SIF23844-01.pdf | |
![]() | 19-10645 | 19-10645 ORIGINAL DIP-8 | 19-10645.pdf | |
![]() | 81C50G-Q-D | 81C50G-Q-D UTC/ TO-92TB | 81C50G-Q-D.pdf | |
![]() | RD7.5E-T2B1 | RD7.5E-T2B1 NEC SMD or Through Hole | RD7.5E-T2B1.pdf |