창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC86160 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMC86160 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1290pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | Power33 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC86160TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMC86160 | |
관련 링크 | FDMC8, FDMC86160 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D820JLBAC | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D820JLBAC.pdf | |
![]() | MKT1813422065R | 0.22µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Axial 0.197" Dia x 0.433" L (5.00mm x 11.00mm) | MKT1813422065R.pdf | |
![]() | PAT0805E5300BST1 | RES SMD 530 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E5300BST1.pdf | |
![]() | C4-K2.5L-4R7N | C4-K2.5L-4R7N ORIGINAL SMD or Through Hole | C4-K2.5L-4R7N.pdf | |
![]() | HM772.HM882 | HM772.HM882 ORIGINAL SMD | HM772.HM882.pdf | |
![]() | NBQ100505T-060T-N | NBQ100505T-060T-N YA SMD | NBQ100505T-060T-N.pdf | |
![]() | 2SK4013(Q)-TOS# | 2SK4013(Q)-TOS# TOSHIBA NA | 2SK4013(Q)-TOS#.pdf | |
![]() | 2SD1758S | 2SD1758S ROHM SOT-252 | 2SD1758S.pdf | |
![]() | MLG1608B4N7JT | MLG1608B4N7JT TDK SMD or Through Hole | MLG1608B4N7JT.pdf | |
![]() | MJE13009A | MJE13009A ORIGINAL TO-220 | MJE13009A.pdf | |
![]() | TO10B010 | TO10B010 DELTA DIP-5 | TO10B010.pdf |