창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC8200 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC8200 | |
| 주요제품 | FDMC8200 Dual MOSFET for Synchronous Buck Designs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A, 12A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW, 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-Power33(3x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC8200TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC8200 | |
| 관련 링크 | FDMC, FDMC8200 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0451012.NRL | FUSE BRD MNT 12A 65VAC/VDC 2SMD | 0451012.NRL.pdf | |
![]() | MR1061K0000TAE66 | RESISTOR 1.0K OHM 1/4W .01% WW | MR1061K0000TAE66.pdf | |
![]() | NSCSANN001BGUNV | Pressure Sensor 14.5 PSI (100 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0 mV ~ 75 mV (5V) 4-SIP, Side Port | NSCSANN001BGUNV.pdf | |
![]() | 2814-01- | 2814-01- MAJOR SMD or Through Hole | 2814-01-.pdf | |
![]() | 54109 | 54109 NSC DIP | 54109.pdf | |
![]() | TRV5451MT | TRV5451MT OPNEXT SMD or Through Hole | TRV5451MT.pdf | |
![]() | 194D336X0010F2H | 194D336X0010F2H VISHAY SMD or Through Hole | 194D336X0010F2H.pdf | |
![]() | AWT6167 | AWT6167 AD BGA | AWT6167.pdf | |
![]() | CPI1050-0R6 | CPI1050-0R6 NEC SMD | CPI1050-0R6.pdf | |
![]() | NCP367DPMUECTBG | NCP367DPMUECTBG ONSemiconductor SMD or Through Hole | NCP367DPMUECTBG.pdf |