창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC7692S_F127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMC7692S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.5A(Ta), 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1385pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-MLP(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC7692S_F127TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMC7692S_F127 | |
관련 링크 | FDMC7692, FDMC7692S_F127 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D2R0BLCAJ | 2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R0BLCAJ.pdf | |
![]() | TD-32.768MCE-T | 32.768MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TD-32.768MCE-T.pdf | |
![]() | DF01SA-E3/77 | DIODE GPP 1A 100V 4SMD | DF01SA-E3/77.pdf | |
![]() | RT0805BRE074K3L | RES SMD 4.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE074K3L.pdf | |
![]() | HRG3216P-1330-D-T1 | RES SMD 133 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1330-D-T1.pdf | |
![]() | YC102-JR-07180RL | RES ARRAY 2 RES 180 OHM 0302 | YC102-JR-07180RL.pdf | |
![]() | HIP6603BCBZ | HIP6603BCBZ INTERSTIL S0P | HIP6603BCBZ.pdf | |
![]() | IC116F63011P | IC116F63011P MICROCHIP SMD or Through Hole | IC116F63011P.pdf | |
![]() | K6X4016V3C-TB55 | K6X4016V3C-TB55 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6X4016V3C-TB55.pdf | |
![]() | DS1302AD(12h) | DS1302AD(12h) ORIGINAL DIP8 | DS1302AD(12h).pdf | |
![]() | BH28FB1WG--TR-Z11 | BH28FB1WG--TR-Z11 ROHM SMD or Through Hole | BH28FB1WG--TR-Z11.pdf | |
![]() | 550313A2 | 550313A2 MAGNETICS SMD or Through Hole | 550313A2.pdf |