창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC7572S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMC7572S | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22.5A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.15m옴 @ 22.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2705pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC7572STR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMC7572S | |
관련 링크 | FDMC7, FDMC7572S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SMCG5659/TR13 | TVS DIODE 97.2VWM 173VC DO215AB | SMCG5659/TR13.pdf | |
![]() | AC0603FR-0718K2L | RES SMD 18.2K OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-0718K2L.pdf | |
![]() | DP12V1212A20F | DP12 VER 12P 12DET 20F B 5MM | DP12V1212A20F.pdf | |
![]() | AT80574JH046NT S LBBT | AT80574JH046NT S LBBT INTEL SMD or Through Hole | AT80574JH046NT S LBBT.pdf | |
![]() | FDP14AN06AO | FDP14AN06AO ORIGINAL SMD or Through Hole | FDP14AN06AO.pdf | |
![]() | WHI1608C-33NJ-D | WHI1608C-33NJ-D ORIGINAL SMD or Through Hole | WHI1608C-33NJ-D.pdf | |
![]() | DG408TQ | DG408TQ MAXIM CDIP16 | DG408TQ.pdf | |
![]() | MC33192C | MC33192C MOT DIP8 | MC33192C.pdf | |
![]() | SLGFN SU9600 | SLGFN SU9600 INTEL BGACPU | SLGFN SU9600.pdf | |
![]() | Q4CE | Q4CE INTEL PGA | Q4CE.pdf | |
![]() | NEM21CC330R1H30 | NEM21CC330R1H30 ORIGINAL SMD or Through Hole | NEM21CC330R1H30.pdf |