창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC6679AZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC6679AZ | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 Mult Device Assembly Site Chg 18/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta), 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 11.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3970pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-MLP(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC6679AZ-ND FDMC6679AZFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC6679AZ | |
| 관련 링크 | FDMC66, FDMC6679AZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | AQ141M680JAJME | 68pF 100V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ141M680JAJME.pdf | |
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![]() | LM201U04 | LM201U04 LG SMD or Through Hole | LM201U04.pdf | |
![]() | XC5G-6421 | XC5G-6421 OMRON SMD or Through Hole | XC5G-6421.pdf | |
![]() | TTS18VS-A6-14.4MHZ | TTS18VS-A6-14.4MHZ TEW SMD | TTS18VS-A6-14.4MHZ.pdf | |
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