창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMA908PZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMA908PZ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.5m옴 @ 12A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3957pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | MicroFET 2x2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMA908PZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMA908PZ | |
| 관련 링크 | FDMA9, FDMA908PZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 3094-183HS | 18µH Unshielded Inductor 114mA 3.8 Ohm Max 2-SMD | 3094-183HS.pdf | |
![]() | TNPW1206750RBETA | RES SMD 750 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206750RBETA.pdf | |
![]() | HBCC1580 | HBCC1580 HEWLETTPACKARD SMD or Through Hole | HBCC1580.pdf | |
![]() | VC-TCXO-208C 19.680MHZ | VC-TCXO-208C 19.680MHZ KSS 3.2*5 | VC-TCXO-208C 19.680MHZ.pdf | |
![]() | TS339CN | TS339CN STM DIP-14 | TS339CN.pdf | |
![]() | XCS30XL-4PQ208C AKP | XCS30XL-4PQ208C AKP XILINX QFP | XCS30XL-4PQ208C AKP.pdf | |
![]() | MC100ELT24BDR2G | MC100ELT24BDR2G ON SOP-8 | MC100ELT24BDR2G.pdf | |
![]() | 2SB710-S | 2SB710-S RENESAS BZX84-C9V1 | 2SB710-S.pdf | |
![]() | P3HNK90Z | P3HNK90Z ST TO-220 | P3HNK90Z.pdf | |
![]() | NAG131MP-B | NAG131MP-B STANLEY ROHS | NAG131MP-B.pdf | |
![]() | 9700062615 | 9700062615 HARTING ORIGINAL | 9700062615.pdf | |
![]() | OM6715,599 | OM6715,599 NXP SMD or Through Hole | OM6715,599.pdf |