창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMA8878 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMA8878 | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 720pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMA8878-ND FDMA8878TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMA8878 | |
관련 링크 | FDMA, FDMA8878 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
AUIRFB3806 | MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB | AUIRFB3806.pdf | ||
YC102-JR-0727RL | RES ARRAY 2 RES 27 OHM 0302 | YC102-JR-0727RL.pdf | ||
188180584 | 188180584 SAGEM SMD or Through Hole | 188180584.pdf | ||
KF120 | KF120 ST SMD or Through Hole | KF120.pdf | ||
TL084CDT/CN | TL084CDT/CN ST SOPDIP | TL084CDT/CN.pdf | ||
ATT65630AL-M68-DT | ATT65630AL-M68-DT LUCENT PLCC | ATT65630AL-M68-DT.pdf | ||
UPG2034T5D-E1-A/G3X | UPG2034T5D-E1-A/G3X NEC QFN | UPG2034T5D-E1-A/G3X.pdf | ||
UTCLD1117A1.8AG0I | UTCLD1117A1.8AG0I ORIGINAL SMD | UTCLD1117A1.8AG0I.pdf | ||
CS9105 | CS9105 CS SMD or Through Hole | CS9105.pdf | ||
UPD41256L-7 | UPD41256L-7 NEC DIP | UPD41256L-7.pdf | ||
1SMC5955BT3G | 1SMC5955BT3G ON SMD or Through Hole | 1SMC5955BT3G.pdf | ||
LT1963ES-3.3V | LT1963ES-3.3V LT SMD or Through Hole | LT1963ES-3.3V.pdf |