창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMA86251 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMA86251 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 175m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 363pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | MicroFET 2x2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMA86251TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMA86251 | |
| 관련 링크 | FDMA8, FDMA86251 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW060340R2BEEN | RES SMD 40.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060340R2BEEN.pdf | |
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![]() | LM1117IMPX-3.3V | LM1117IMPX-3.3V N/A N A | LM1117IMPX-3.3V.pdf | |
![]() | SHM-IC-18634 | SHM-IC-18634 ORIGINAL DIP14 | SHM-IC-18634.pdf | |
![]() | 0805 47R J | 0805 47R J TASUND SMD or Through Hole | 0805 47R J.pdf | |
![]() | 3*7/2P | 3*7/2P TDK SMD-DIP | 3*7/2P.pdf | |
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![]() | AT45DB161D-SU. | AT45DB161D-SU. ATMEL SMD or Through Hole | AT45DB161D-SU..pdf | |
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![]() | EGXD350EC5470MJ16S | EGXD350EC5470MJ16S Chemi-con NA | EGXD350EC5470MJ16S.pdf | |
![]() | 2CK44D | 2CK44D CHINA SMD or Through Hole | 2CK44D.pdf |