창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMA86151L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMA86151L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 88m옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | MicroFET 2x2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMA86151LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMA86151L | |
| 관련 링크 | FDMA86, FDMA86151L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ERA-S27J472V | RES TEMP SENS 4.7K OHM 5% 1/10W | ERA-S27J472V.pdf | |
![]() | 430K(4303)±1%1206 | 430K(4303)±1%1206 ORIGINAL SMD or Through Hole | 430K(4303)±1%1206.pdf | |
![]() | AM82520JI | AM82520JI AMD PLCC28 | AM82520JI.pdf | |
![]() | 1234.A | 1234.A ORIGINAL Tray | 1234.A.pdf | |
![]() | S25K130E4R12 | S25K130E4R12 EPCOS DIP | S25K130E4R12.pdf | |
![]() | SE450M0068BPF-2240 | SE450M0068BPF-2240 YA DIP | SE450M0068BPF-2240.pdf | |
![]() | LST62832N | LST62832N LINKSMART SOP28 | LST62832N.pdf | |
![]() | MC5351DRG4 | MC5351DRG4 MOT SOP8 | MC5351DRG4.pdf | |
![]() | 224K/275Vac/X2/P=22.5mm | 224K/275Vac/X2/P=22.5mm ORIGINAL SMD or Through Hole | 224K/275Vac/X2/P=22.5mm.pdf | |
![]() | C06HP | C06HP TEXAS MSOP-8 | C06HP.pdf | |
![]() | G86-825-A2 | G86-825-A2 NVIDIA BGA | G86-825-A2.pdf |