창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMA7670 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMA7670 | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1360pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMA7670-ND FDMA7670TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMA7670 | |
관련 링크 | FDMA, FDMA7670 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C1206C150JCGACTU | 15pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C150JCGACTU.pdf | |
![]() | GX-M8B-P | Inductive Proximity Sensor 0.059" (1.5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M8 | GX-M8B-P.pdf | |
![]() | RD6.8ES-AB2-T4 | RD6.8ES-AB2-T4 NEC SMD or Through Hole | RD6.8ES-AB2-T4.pdf | |
![]() | MB34_R2_10001 | MB34_R2_10001 PANJIT SMD or Through Hole | MB34_R2_10001.pdf | |
![]() | ZMOX/363 | ZMOX/363 PERICOM SOT-363 | ZMOX/363.pdf | |
![]() | LMD1820T | LMD1820T NS ZIP | LMD1820T.pdf | |
![]() | AD2226SI | AD2226SI ADI SMD or Through Hole | AD2226SI.pdf | |
![]() | EB2-3T | EB2-3T NEC SMD or Through Hole | EB2-3T.pdf | |
![]() | 14286-501 | 14286-501 ORIGINAL TQFP100 | 14286-501.pdf | |
![]() | PP12017HS | PP12017HS ABB SMD or Through Hole | PP12017HS.pdf | |
![]() | ZR36430BGC/A1 | ZR36430BGC/A1 ZORAN BGA | ZR36430BGC/A1.pdf | |
![]() | 2SB202 | 2SB202 ORIGINAL CAN | 2SB202.pdf |