창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMA7670 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMA7670 | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1360pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMA7670-ND FDMA7670TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMA7670 | |
관련 링크 | FDMA, FDMA7670 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F400XXCAT | 40MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400XXCAT.pdf | |
![]() | UB20CCT-E3/8W | DIODE RECT 20A 150V 35NS TO263AB | UB20CCT-E3/8W.pdf | |
![]() | ERA-8ARB7152V | RES SMD 71.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8ARB7152V.pdf | |
![]() | RNF18FTD127R | RES 127 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD127R.pdf | |
![]() | P51-2000-A-M-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Male - M10 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-M-MD-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | P3680 | P3680 ORIGINAL SOP-8L | P3680.pdf | |
![]() | TB5R3DWRG4 | TB5R3DWRG4 TI l | TB5R3DWRG4.pdf | |
![]() | AS2998V | AS2998V ASI TO15 | AS2998V.pdf | |
![]() | 1300BR | 1300BR SI TO-126 | 1300BR.pdf | |
![]() | PIC16C620A/JW | PIC16C620A/JW MICROCHIP DIP-18 | PIC16C620A/JW.pdf | |
![]() | M38004M8-111FP | M38004M8-111FP MIT QFP | M38004M8-111FP.pdf |