창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMA510PZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMA510PZ | |
| PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 7.8A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1480pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMA510PZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMA510PZ | |
| 관련 링크 | FDMA5, FDMA510PZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TL431TLPR | TL431TLPR TI TO92 | TL431TLPR.pdf | |
![]() | CA82C59-8CN | CA82C59-8CN CALMOS PLCC28 | CA82C59-8CN.pdf | |
![]() | CR100AL-14 | CR100AL-14 MITSUBISHI SMD or Through Hole | CR100AL-14.pdf | |
![]() | MR646 | MR646 MOT SMD or Through Hole | MR646.pdf | |
![]() | RIG2-5C-800W-50Ω±5% | RIG2-5C-800W-50Ω±5% RHD SMD or Through Hole | RIG2-5C-800W-50Ω±5%.pdf | |
![]() | TSW-6A-2-16-T50 | TSW-6A-2-16-T50 SHINMEI SMD or Through Hole | TSW-6A-2-16-T50.pdf | |
![]() | MIM-5363K4 | MIM-5363K4 UNI SMD or Through Hole | MIM-5363K4.pdf | |
![]() | AD532KD* | AD532KD* AD DIP | AD532KD*.pdf | |
![]() | SM77H045-60.0M | SM77H045-60.0M PLETRONICS SMD | SM77H045-60.0M.pdf | |
![]() | 77F271J-RC | 77F271J-RC BOURNS DIP | 77F271J-RC.pdf | |
![]() | GUS-SS8A-03-1001-BB | GUS-SS8A-03-1001-BB IRC SOP16 | GUS-SS8A-03-1001-BB.pdf |