창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMA291P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMA291P | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 6.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMA291PTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMA291P | |
관련 링크 | FDMA, FDMA291P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
S503Z69Z5UL63L0R | 0.05µF 500V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 | S503Z69Z5UL63L0R.pdf | ||
FVTS10R1E1K500JE | RES CHAS MNT 1.5K OHM 5% 12W | FVTS10R1E1K500JE.pdf | ||
88I6540 | 88I6540 M TQFP144 | 88I6540.pdf | ||
ZT2222A | ZT2222A ST SMD or Through Hole | ZT2222A.pdf | ||
LRCM01S600T | LRCM01S600T TAIYO SMD | LRCM01S600T.pdf | ||
IRF3 0.27 20%TR | IRF3 0.27 20%TR VISHAY DIP | IRF3 0.27 20%TR.pdf | ||
29LV640TTC-90G | 29LV640TTC-90G ORIGINAL TSOP | 29LV640TTC-90G.pdf | ||
HELGA | HELGA ST BGA0808 | HELGA.pdf | ||
TK72185CSL-G | TK72185CSL-G TOKO SOT23-5 | TK72185CSL-G.pdf | ||
AD8682ARZG4-REEL7 | AD8682ARZG4-REEL7 AD Original | AD8682ARZG4-REEL7.pdf | ||
EPCOS150 | EPCOS150 EPCOS DIP | EPCOS150.pdf | ||
PCAE502 | PCAE502 AB SOP18 | PCAE502.pdf |