창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMA1032CZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMA1032CZ | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A, 3.1A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 68m옴 @ 3.7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMA1032CZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMA1032CZ | |
| 관련 링크 | FDMA10, FDMA1032CZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D750KLBAJ | 75pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D750KLBAJ.pdf | |
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![]() | MCR10EZPF1622 | RES SMD 16.2K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF1622.pdf | |
![]() | CMF601K4300FHEK | RES 1.43K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K4300FHEK.pdf | |
![]() | 100W18R | 100W18R TY SMD or Through Hole | 100W18R.pdf | |
![]() | AS6503M6/TR-LF | AS6503M6/TR-LF Asemi SOT26 | AS6503M6/TR-LF.pdf | |
![]() | QLMPHD97PPTDD | QLMPHD97PPTDD AGILENT ORIGINAL | QLMPHD97PPTDD.pdf | |
![]() | DS1301ZN | DS1301ZN DALLAS SOP | DS1301ZN.pdf | |
![]() | FP6161-09S8G NOPB | FP6161-09S8G NOPB FITIPOWE SOT163 | FP6161-09S8G NOPB.pdf | |
![]() | TC199157BF | TC199157BF TOS QFP | TC199157BF.pdf | |
![]() | CAT803ZTBI-GT3 | CAT803ZTBI-GT3 CATALYST SOT23 | CAT803ZTBI-GT3.pdf | |
![]() | SU9300 QGHSES | SU9300 QGHSES INTEL CPU | SU9300 QGHSES.pdf |