창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDI038AN06A0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDI038AN06A0, FDP038AN06A0 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 124nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK(TO-262) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDI038AN06A0 | |
관련 링크 | FDI038A, FDI038AN06A0 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | HRG3216P-5760-B-T5 | RES SMD 576 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-5760-B-T5.pdf | |
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![]() | AT87C51RC23CSUM | AT87C51RC23CSUM ATMEL DIP | AT87C51RC23CSUM.pdf | |
![]() | K4B2G0446B-HCF8000 | K4B2G0446B-HCF8000 Samsung SMD or Through Hole | K4B2G0446B-HCF8000.pdf | |
![]() | CR40-621-JF | CR40-621-JF ORIGINAL SMD or Through Hole | CR40-621-JF.pdf | |
![]() | C0805C104Z3VAC9733 | C0805C104Z3VAC9733 KEMET SOT153 | C0805C104Z3VAC9733.pdf | |
![]() | R82CC4470DQ30J | R82CC4470DQ30J KEMET SMD or Through Hole | R82CC4470DQ30J.pdf | |
![]() | TDH047AN | TDH047AN ORIGINAL TO-3P | TDH047AN.pdf | |
![]() | UC3909DWG4 | UC3909DWG4 TI SOIC20 | UC3909DWG4.pdf |