창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDH210N08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDH210N08 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDH210N08 | |
관련 링크 | FDH21, FDH210N08 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 2N7002T | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F | 2N7002T.pdf | |
![]() | L100J4R0 | RES CHAS MNT 4 OHM 5% 100W | L100J4R0.pdf | |
![]() | CMF5517M800FKR6 | RES 17.8M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5517M800FKR6.pdf | |
![]() | FRL15TCWA-A82-19200 | FRL15TCWA-A82-19200 FITEL SMD or Through Hole | FRL15TCWA-A82-19200.pdf | |
![]() | L1087C3-3.3 | L1087C3-3.3 NIKO SOT89 | L1087C3-3.3.pdf | |
![]() | LC6521H | LC6521H SANYO DIP30 | LC6521H.pdf | |
![]() | DJP-202 | DJP-202 synergymwave SMD or Through Hole | DJP-202.pdf | |
![]() | FM83-1104 | FM83-1104 FRECOM DIP5 | FM83-1104.pdf | |
![]() | TE2F800B3BA90 | TE2F800B3BA90 INTEL SMD or Through Hole | TE2F800B3BA90.pdf | |
![]() | AEDO | AEDO max 5 SOT-23 | AEDO.pdf | |
![]() | TDA6118Q/N1 | TDA6118Q/N1 PHILIPS SQL | TDA6118Q/N1.pdf | |
![]() | 2295F | 2295F ROHM SSOP-14 | 2295F.pdf |