창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDH210N08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDH210N08 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDH210N08 | |
| 관련 링크 | FDH21, FDH210N08 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C3392-60.000 | 60MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | C3392-60.000.pdf | |
![]() | TNPW1210221KBETA | RES SMD 221K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210221KBETA.pdf | |
![]() | CMF60R10000GNEB | RES 0.1 OHM 1W 2% AXIAL | CMF60R10000GNEB.pdf | |
![]() | ADM6926X-AB-T-1 | ADM6926X-AB-T-1 INFINEON QFP128 | ADM6926X-AB-T-1.pdf | |
![]() | 53647-0574 | 53647-0574 MOLEX SMD or Through Hole | 53647-0574.pdf | |
![]() | L6NE | L6NE N/A SOT-153 | L6NE.pdf | |
![]() | 12FT10 | 12FT10 IR MODULE | 12FT10.pdf | |
![]() | TPIC5322L | TPIC5322L TI SOP16 | TPIC5322L.pdf | |
![]() | OZ9RRACN | OZ9RRACN ORIGINAL SOP8 | OZ9RRACN.pdf | |
![]() | NKJ61H | NKJ61H ORIGINAL SMD or Through Hole | NKJ61H.pdf | |
![]() | ABT1010PQ100 | ABT1010PQ100 ABT TQFP100 | ABT1010PQ100.pdf | |
![]() | R1160N261BTR | R1160N261BTR RICOH SMD or Through Hole | R1160N261BTR.pdf |