Fairchild Semiconductor FDG6332C_F085
- 제조업체 부품 번호
- FDG6332C_F085
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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FDG6332C_F085 가격 및 조달
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23550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 109.72159
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FDG6332C_F085 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDG6332C_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDG6332C_F085 | |
| 비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 700mA, 600mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 700mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 113pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDG6332C_F085FSTR FDG6332C_F085TR FDG6332C_F085TR-ND FDG6332CF085 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDG6332C_F085 | |
| 관련 링크 | FDG6332, FDG6332C_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FDG6332C_F085 의 관련 제품
.jpg) | CX2016DB32000D0FLJCC | 32MHz ±10ppm 수정 8pF 80옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB32000D0FLJCC.pdf | |
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