창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDG410NZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDG410NZ | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 2.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 535pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 380mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDG410NZ-ND FDG410NZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDG410NZ | |
관련 링크 | FDG4, FDG410NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 7M-48.000MEEQ-T | 48MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-48.000MEEQ-T.pdf | |
![]() | RCL04064R70FKEA | RES SMD 4.7 OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL04064R70FKEA.pdf | |
![]() | AT0603CRD0715R4L | RES SMD 15.4OHM 0.25% 1/10W 0603 | AT0603CRD0715R4L.pdf | |
![]() | MS46SR-30-1215-Q2-10X-10R-NO-A | SYSTEM | MS46SR-30-1215-Q2-10X-10R-NO-A.pdf | |
![]() | IM4A3-32/32-7JC-10 | IM4A3-32/32-7JC-10 LATTICE PLCC | IM4A3-32/32-7JC-10.pdf | |
![]() | MC74LS245LM | MC74LS245LM MOTOROLA DIP | MC74LS245LM.pdf | |
![]() | XCV1000-4BG560C | XCV1000-4BG560C XILINX QFP | XCV1000-4BG560C.pdf | |
![]() | CA11848_TINA2-M | CA11848_TINA2-M LEDIL SMD or Through Hole | CA11848_TINA2-M.pdf | |
![]() | 1623128-1 | 1623128-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1623128-1.pdf | |
![]() | M29F010B45N6E | M29F010B45N6E ST TSOP32 | M29F010B45N6E.pdf | |
![]() | J10124 | J10124 TI DIP16 | J10124.pdf | |
![]() | DW-L-002 | DW-L-002 ORIGINAL SMD or Through Hole | DW-L-002.pdf |