Fairchild Semiconductor FDG410NZ

FDG410NZ
제조업체 부품 번호
FDG410NZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
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내부 부품 번호EIS-FDG410NZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDG410NZ
PCN 포장Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs70m옴 @ 2.2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds535pF @ 10V
전력 - 최대380mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-70-6
표준 포장 3,000
다른 이름FDG410NZ-ND
FDG410NZTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDG410NZ
관련 링크FDG4, FDG410NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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