창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDG327NZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDG327NZ | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 412pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 380mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDG327NZ-ND FDG327NZFSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDG327NZ | |
관련 링크 | FDG3, FDG327NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AA0201FR-071K47L | RES SMD 1.47K OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-071K47L.pdf | |
![]() | 200HFR140 | 200HFR140 IR DO-8 | 200HFR140.pdf | |
![]() | KH29LV320CBTC | KH29LV320CBTC MXIC SMD or Through Hole | KH29LV320CBTC.pdf | |
![]() | 9048VB | 9048VB ORIGINAL DIP | 9048VB.pdf | |
![]() | UPC1891ACY | UPC1891ACY NEC DIP20 | UPC1891ACY.pdf | |
![]() | MB133T329 | MB133T329 ORIGINAL PLCC | MB133T329.pdf | |
![]() | BM1117-5.0V | BM1117-5.0V BM SOT-223 | BM1117-5.0V.pdf | |
![]() | HT4863--++ | HT4863--++ HT DIP-16 | HT4863--++.pdf | |
![]() | MA4CP102B TEL:82766440 | MA4CP102B TEL:82766440 M/ACOM SMD or Through Hole | MA4CP102B TEL:82766440.pdf | |
![]() | K9F5608U0D | K9F5608U0D SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F5608U0D.pdf | |
![]() | MEC0254V2-000U-A99 | MEC0254V2-000U-A99 SUN SMD or Through Hole | MEC0254V2-000U-A99.pdf | |
![]() | MV380-28-616 | MV380-28-616 ACBEL SMD or Through Hole | MV380-28-616.pdf |