창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDFMA2P857 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDFMA2P857 | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 435pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDFMA2P857TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDFMA2P857 | |
관련 링크 | FDFMA2, FDFMA2P857 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D200FXBAC | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200FXBAC.pdf | |
![]() | 12065A8R0CAT2A | 12065A8R0CAT2A AVX SMD or Through Hole | 12065A8R0CAT2A.pdf | |
![]() | MC14069UBFL2 | MC14069UBFL2 MOT SO145.2 | MC14069UBFL2.pdf | |
![]() | LPT676-M2-4 | LPT676-M2-4 OSRAM Call | LPT676-M2-4.pdf | |
![]() | LH28F160S5T-L10 | LH28F160S5T-L10 SHARP TSOP | LH28F160S5T-L10.pdf | |
![]() | C18 | C18 ORIGINAL SMD or Through Hole | C18.pdf | |
![]() | MMPA572GTA2.3Ghz27dBm | MMPA572GTA2.3Ghz27dBm ORIGINAL SMD or Through Hole | MMPA572GTA2.3Ghz27dBm.pdf | |
![]() | DIN96CSESILTG30 | DIN96CSESILTG30 ROBINSON CONN | DIN96CSESILTG30.pdf | |
![]() | HY5DU643222BF-33 | HY5DU643222BF-33 HYNIX BGA | HY5DU643222BF-33.pdf | |
![]() | GZ18BR | GZ18BR ST DO-4 | GZ18BR.pdf | |
![]() | SYM3072-M3 | SYM3072-M3 WIN DIP18 | SYM3072-M3.pdf |