창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDFMA2P857 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDFMA2P857 | |
| PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 435pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDFMA2P857TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDFMA2P857 | |
| 관련 링크 | FDFMA2, FDFMA2P857 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BZW04-23HE3/73 | TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO204AL | BZW04-23HE3/73.pdf | |
![]() | CW00518R00JS73 | RES 18 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW00518R00JS73.pdf | |
![]() | PVR3301NPBF | PVR3301NPBF IR DIP-16 | PVR3301NPBF.pdf | |
![]() | MSM7578HMS-KDR1 | MSM7578HMS-KDR1 OKI 5.2mm20 | MSM7578HMS-KDR1.pdf | |
![]() | MC74VCXH16373DIR2 | MC74VCXH16373DIR2 TI TSSOP48 | MC74VCXH16373DIR2.pdf | |
![]() | dem08202syh-ly | dem08202syh-ly dis SMD or Through Hole | dem08202syh-ly.pdf | |
![]() | G2VN-234PH-48VDC | G2VN-234PH-48VDC OMRON SMD or Through Hole | G2VN-234PH-48VDC.pdf | |
![]() | PIC3861Q | PIC3861Q PERICOM SMD or Through Hole | PIC3861Q.pdf | |
![]() | ETRI-B | ETRI-B DANAM SMD or Through Hole | ETRI-B.pdf | |
![]() | W25P20VSNI | W25P20VSNI Winbond SOP8 | W25P20VSNI.pdf | |
![]() | GM97C51PL24 | GM97C51PL24 LGS SMD or Through Hole | GM97C51PL24.pdf | |
![]() | HI5767 | HI5767 ORIGINAL SOP | HI5767.pdf |