창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDFMA2P853 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDFMA2P853 | |
| PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 435pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDFMA2P853FSTR FDFMA2P853TR FDFMA2P853TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDFMA2P853 | |
| 관련 링크 | FDFMA2, FDFMA2P853 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CDS70 | FUSE CANADIAN D TYPE 600V TIME | CDS70.pdf | |
![]() | MM3Z3V3B | DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323F | MM3Z3V3B.pdf | |
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![]() | TNPW040278K7BEED | RES SMD 78.7KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040278K7BEED.pdf | |
![]() | HCF4014BEY | HCF4014BEY STM SMD or Through Hole | HCF4014BEY.pdf | |
![]() | MEM2012P50R0T0001 | MEM2012P50R0T0001 TDK SMD or Through Hole | MEM2012P50R0T0001.pdf | |
![]() | ASM813 | ASM813 ORIGINAL SOP8 | ASM813.pdf | |
![]() | 8D43-6R8ML | 8D43-6R8ML ORIGINAL SMD or Through Hole | 8D43-6R8ML.pdf | |
![]() | SC11202CN | SC11202CN SC DIP | SC11202CN.pdf | |
![]() | MF25S182F-T26 | MF25S182F-T26 MATEFORD SMD or Through Hole | MF25S182F-T26.pdf | |
![]() | D1511C-064 | D1511C-064 NEC DIP 42 | D1511C-064.pdf |