창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDFM2P110 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDFM2P110 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 3.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-MLP, 전력33 | |
공급 장치 패키지 | MicroFET 3x3mm | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDFM2P110-ND FDFM2P110TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDFM2P110 | |
관련 링크 | FDFM2, FDFM2P110 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D681FLBAR | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D681FLBAR.pdf | ||
CRCW20101R30FNTF | RES SMD 1.3 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20101R30FNTF.pdf | ||
MBA02040C6348FRP00 | RES 6.34 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C6348FRP00.pdf | ||
MAN6260E | MAN6260E EVERLIGHT ROHS | MAN6260E.pdf | ||
SIL9DUMMY | SIL9DUMMY NS ZIP | SIL9DUMMY.pdf | ||
C2005V | C2005V ORIGINAL ZIP | C2005V.pdf | ||
CTC9102E | CTC9102E ORIGINAL DIP | CTC9102E.pdf | ||
U634H256CD1C | U634H256CD1C ZMD DIP32 | U634H256CD1C.pdf | ||
87C58UBPN | 87C58UBPN PHI DIP | 87C58UBPN.pdf | ||
6511-RG481SL-27A | 6511-RG481SL-27A LITEON QFP48 | 6511-RG481SL-27A.pdf | ||
11.0592M DIP | 11.0592M DIP taitien SMD or Through Hole | 11.0592M DIP.pdf | ||
RALD3W-K | RALD3W-K ORIGINAL SMD or Through Hole | RALD3W-K.pdf |