창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDFM2N111 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDFM2N111 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 273pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-MLP, 전력33 | |
| 공급 장치 패키지 | MicroFET 3x3mm | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDFM2N111-ND FDFM2N111TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDFM2N111 | |
| 관련 링크 | FDFM2, FDFM2N111 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 445W2XJ24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W2XJ24M57600.pdf | |
![]() | MJD32CQ-13 | TRANS PNP 100V 3A TO252-3L | MJD32CQ-13.pdf | |
![]() | RC0805FR-071R07L | RES SMD 1.07 OHM 1% 1/8W 0805 | RC0805FR-071R07L.pdf | |
![]() | BAT54ATB | BAT54ATB PANJIT SOT-523 | BAT54ATB.pdf | |
![]() | M62510GP#DF0J | M62510GP#DF0J RENESA SMD or Through Hole | M62510GP#DF0J.pdf | |
![]() | ALD1706BSA | ALD1706BSA ALD SOP8 | ALD1706BSA.pdf | |
![]() | DSPIC33FJ64GP306A | DSPIC33FJ64GP306A MICROCHIP TQFP-64 | DSPIC33FJ64GP306A.pdf | |
![]() | ECRLA010A12 | ECRLA010A12 PANASONIC SMD or Through Hole | ECRLA010A12.pdf | |
![]() | TC9002BP | TC9002BP TOSHIBA DIP-42 | TC9002BP.pdf | |
![]() | CW24C02BD | CW24C02BD ORIGINAL SMD or Through Hole | CW24C02BD.pdf | |
![]() | WRA1209CKS-1W | WRA1209CKS-1W MORNSUN SIP | WRA1209CKS-1W.pdf | |
![]() | PSMN3R2-25YLC | PSMN3R2-25YLC NXP SMD or Through Hole | PSMN3R2-25YLC.pdf |